65 W 氮化镓充电器的输出口支持 PPS，最高 20 V/3.25 A。整机做 ±8 kV 接触放电，打外壳与输出口内壁，十次里三次充电中断，拆开看输出口那颗 TVS 已经发黑，型号是 5 V 档。

直接答案

5 V 档的 VRWM 只有 5 V，PPS 拉到 20 V 时它长期工作在击穿区，漏电流从微安涨到几十毫安，结温跟着上来，最后热击穿。输出口按最高输出电压选档：VBUS 用 SMA 系列 24 V 档，CC1 与 CC2 两条 3.3 V 信号用 ESD3V3D500TA，两颗不能合并成一颗。

输出口四个位置，档位各不相同

20 V 压在 5 V 档上，器件一直待在击穿区

TVS 的 VRWM 是它“当电容用”的上限，超过这个电压就进入击穿区开始漏电。5 V 档的 VRWM 是 5 V，PPS 拉到 20 V 等于长期加了三倍过压，漏电流从 25 ℃ 的 1 µA 涨到 85 ℃ 的 200 µA 量级；漏电流自己发热，结温再升，漏电流再涨，几十小时就能走到热击穿，拆开看到的发黑就是这一步的结果。反过来，把 24 V 档放到 CC 上也不行：24 V 档的结电容在 200 pF 上下，CC 走 600 kHz 的 BMC 编码，200 pF 与 1 kΩ 的源端阻抗组成 0.8 µs 的时间常数，边沿被拖平，PD 协商直接失败。所以输出口必须按位置分档，不能一颗大档位全护。

VBUS 贴座后 3 mm，CC 的地单独走

VBUS 那颗贴输出座后 3 mm，走线 1.5 mm 宽、长 4 mm，两端各两个 0.5 mm 过孔到内层地；这段走线约 2 nH，与器件引脚电感同量级。CC 两颗放在协议芯片与座子之间、靠座子一侧，地单独走一条 0.3 mm 的线回到协议芯片的地，不要借 VBUS 的地，否则 VBUS 上的残压会从 CC 的地上过一遍。反馈脚那颗 3.3 V 档器件贴在上电阻与 FB 之间，先串 1 kΩ 再并，避免器件的结电容改动分压比。外壳弹片与主板地之间加一条 0.4 mm 厚、15 mm 长的搭接片，只接一点；两点搭接会把放电电流引到 CC 走线下方。

±8 kV 打输出口，再满载跑 30 分钟

接触放电 ±8 kV 打外壳四边、输出口内壁、CC 针，每点正负各十次，然后 20 V/3.25 A 满载跑 30 分钟。判据三条：不中断、输出电压偏差不超过 2%、VBUS 那颗器件表面温度不超过 45 ℃。温度这一项最容易被忽略：5 V 档误用在 20 V 上，前几十次打不出故障，器件温度已经从 32 ℃ 升到 60 ℃，再打几次就热击穿。复测把 PPS 从 5 V 扫到 20 V，每档打一轮，低压档反而更容易暴露 CC 的问题。不拆机也能判：满功率跑十分钟，摸输出口附近那颗器件的温度，超过 50 ℃ 就说明它在漏电而不是在钳位。

常见问题

能不能只用一颗 24 V 档护住整个输出口？

不能。24 V 档的结电容 200 pF 上下，放在 CC 上会把 600 kHz 的 BMC 边沿拖平，PD 协商失败，表现为能充电但认不出快充。

为什么现象是充电中断而不是烧毁？

热击穿之前先漏电，充电器自己的过流保护先动作，所以用户看到的是中断。等器件彻底短路，才会变成插上就保护。

资料来源

• IEC 61000-4-2:2025 官方页面
• ASIM SMA 系列产品参数页
• ASIM ESD3V3D500TA Rev1.1 规格书
• ASIM 资料下载中心

资料核对日期：2026-11-03。输出口的档位按最高电压选，不按标称电压选。