2025-09-01 11:03:10
1. 反向截止电压(VRWM)
2. 击穿电压(VBR)与钳位电压(VC)
参数 | 定义 | 选型规则 |
---|---|---|
VBR@1mA | 雪崩击穿触发点 | VBR ≥ 1.2×V_CC_max |
VC@IPP | 峰值电流下的极限电压 | VC ≤ 0.8×被保护IC耐压值 |
1. 峰值脉冲电流(IPP)
2. 功率降额曲线
脉冲波形 | 功率换算系数 | 案例(标称600W器件) |
---|---|---|
8/20μs | 1.0 | 实际支持600W |
10/1000μs | 0.6 | 降额至360W使用 |
1. 结电容(Cj)与信号速率匹配
接口标准 | 最大允许Cj | 推荐型号 |
---|---|---|
USB4(20Gbps) | ≤0.3pF | ESD3V3D500TATA(0.25pF) |
HDMI2.1 | ≤0.5pF | ESD5D003TA(0.3pF) |
千兆以太网 | ≤2pF | SMF6.5A(1.8pF) |
2. 动态电阻(Rdyn)
1. 温度系数
2. 封装热阻(θJA)
封装类型 | θJA(℃/W) | 100W脉冲温升 |
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SOD-123 | 160 | ΔT=160℃ |
SMA(DO-214AB) | 50 | ΔT=50℃ |
SMC(DO-214AB) | 35 | ΔT=35℃ |
1. 认证标准匹配
应用场景 | 强制认证 | 代表型号 |
---|---|---|
汽车电子 | AEC-Q101 | SM6S30A |
工业设备 | UL497B | SMBJ15CA |
医疗设备 | IEC60601-1-2 | ESD24D003TA |
2. 失效模式要求
1. 电压匹配失误
2. 浪涌能力误判
结语:
TVS选型本质是多约束优化问题。核心遵循“电压匹配→浪涌验证→电容筛选→认证适配”四步法则,重点关注VBR/VC的1.2倍系数、IPP的1.5倍裕量、Cj的50%降额使用。在汽车/工业场景必须执行AEC-Q101认证器件+热仿真验证,方能实现十年级可靠防护。