以太网PHY接口选择ESD二极管，第一步不是看IEC等级，而是确认器件放在隔离变压器的哪一侧。PHY侧与线缆侧的共模电压、绝缘要求和浪涌能量不同，适用的保护结构也不同。

若保护对象是PHY侧差分线，器件应具备低结电容、良好的通道匹配和合适的工作电压；若器件放在线缆侧，还要核对对地耐压、PoE、电气间隙和隔离规范，不能照搬PHY侧方案。

PHY侧为什么对结电容敏感

ESD二极管在正常状态下相当于并在线路上的电容。电容与焊盘、支路、过孔共同形成阻抗突变，会增加回波损耗并破坏差分平衡。千兆及更高速率的以太网通道，对这类寄生更敏感。

ASIM阿赛姆ESD5E001TA为5 V双向超低电容器件，典型Cj为0.08 pF，DFN0603-2L封装；ESD5D002SA同为5 V双向器件，典型Cj为0.2 pF，峰值脉冲电流8 A，最大VC为12 V。前者有更低的线路加载，后者在列出的工作点具有更高电流能力，选择要看PHY耐压和通道余量。

工作电压应该按什么数值确定

看单根线对本地地的范围

PHY差分幅度不是唯一依据。中心抽头偏置、共模电压、启动状态和测试模式都会改变单线电位。VRWM应覆盖正常状态的最大单线对地电压，并考虑电源容差。

PoE系统要先分清器件位置

PoE电压通常通过变压器中心抽头或线对注入。PHY侧的低压ESD器件不应跨接到会承受PoE直流的节点。线缆侧保护又可能需要更高耐压和专门浪涌器件，布局前必须看清供电拓扑。

不要用VBR代替VRWM

VBR是规定电流下开始雪崩的电压，正常信号应远离这个区域。若工作峰值已经接近VBR，器件会产生非线性负载和漏电，链路问题可能表现为温度或线缆相关。

钳位电压怎样和PHY耐压匹配

器件IEC等级说明其自身在规定接触或空气放电下的能力，但PHY引脚能否存活取决于残压。应查看目标脉冲电流下的VC，并把器件到回流点的寄生压降加进去。

例如ESD5E003TA的VRWM为5 V，典型Cj为0.3 pF，IPP为4 A，最大VC为20 V；ESD5D002SA在8 A条件下最大VC为12 V。两组数字的测试电流不同，不能只凭12 V和20 V断言哪颗更强，应结合曲线与系统电流比较。

测量残压时，探头放在PHY引脚附近。若只量ESD器件两端，会漏掉器件到PHY之间的走线电感和局部地弹。

PCB上应该把ESD二极管放在哪里

PHY侧保护靠近变压器内侧入口

从隔离变压器到PHY的线路应先经过保护点，再进入芯片。器件地端就近连接安静、低阻抗参考，回流不要绕过PHY区域后才落地。

差分对保持对称

两条线的焊盘、过孔、转角和支路长度保持一致。若使用阵列器件，检查内部针脚顺序，避免为迁就封装交叉走线。ESD5X004SA为5 V双向阵列，典型Cj为0.25 pF，可用于多通道紧凑布局的候选评估。

屏蔽壳回流与信号保护分开规划

RJ45屏蔽壳承受的放电电流应优先进入机壳或屏蔽参考，不要通过PHY侧ESD器件回到数字地。信号保护处理的是穿过隔离或近场耦合后的剩余能量，两条路径职责不同。

怎样验证保护没有破坏链路

先做无保护器件和候选器件的回波损耗、插入损耗或眼图对比，再做不同长度网线、不同对端和温度下的链路稳定性测试。只看能否Ping通，无法覆盖边缘余量。

随后按目标等级施加ESD，分别打屏蔽壳和可触及位置，记录链路是否重协商、PHY是否复位、错误包是否增加。整改后还要复测信号完整性，不能以抗扰度换取通信裕量。

常见问题

以太网差分线一定要加ESD二极管吗？

要根据隔离变压器、连接器结构、设备类别和测试目标决定。即使变压器提供隔离，寄生电容和近场耦合仍可能把快速瞬态送到PHY侧。

结电容越低越好吗？

结电容低有利于通道，但还要满足VRWM、VC、IPP和封装布局。最低Cj不是唯一指标。

ESD二极管能接到RJ45屏蔽壳吗？

要看器件拓扑和系统接地。一般应让大电流先走屏蔽回路，不能把屏蔽放电直接引入PHY参考地。

百兆网和千兆网可以用同一器件吗？

有可能，但千兆通道的带宽和四对线匹配要求更高。必须分别做通道和系统验证。

以太网ESD选型的正确顺序是：确认变压器侧别，确定电压窗口，再平衡结电容与钳位残压，最后用成品布局验证。