2026-09-12 15:03:11
作者:ASIM阿赛姆技术团队 | 发布日期:2026-09-12
评估ESD二极管保护效果,至少要区分器件端残压和芯片引脚残压。规格书VC描述器件在规定脉冲电流与测试方法下的钳位结果;装到PCB以后,保护器件到信号入口、地回流和芯片之间还有寄生电感。芯片实际看到的电压可能高于器件两端波形,所以测点必须写进结论。
探头一放在ESD二极管信号端与本地地之间,可以观察器件附近的钳位波形。另一个探头放在被保护芯片引脚与芯片地之间,看到的是进入芯片的剩余应力。两者之间包含走线、过孔、地平面和其他串并联器件产生的压差。
工程上可以用一个简化关系理解:VIC≈VTVS+Lpath×di/dt+Vground。它不是用于精确计算的完整模型,但说明了一个事实:静电电流前沿很快,几纳亨的路径电感也可能产生不可忽略的瞬时电压;地回流抬升还会让芯片参考点一起移动。
器件端测量适合检查ESD二极管是否进入钳位、安装极性是否正确、不同布局的回路是否改变峰值和振铃。这个测点应尽量靠近器件焊盘,信号端与地端同时缩短连接,避免用长鳄鱼夹地线。
测试记录至少写明:
没有这些信息,两张峰值不同的波形不能直接比较。探头回路面积变化本身就会改变捕获到的高频分量。
芯片引脚电压必须相对于芯片附近的地测量,而不是相对于远处机壳或电源入口地。若探头参考点跨过地缝、磁珠或细长回路,波形里会混入额外地电位差。对于差分接口,还要确认测量的是单线对本地地的共模应力,还是两线之间的差分电压。
芯片端测量用于回答保护是否真正把应力限制在后级可承受范围内。但后级“可承受范围”不能随意取绝对最大额定值。静电前沿、持续时间和内部保护结构与直流耐压条件不同,应结合芯片厂商的端口建议和实板功能结果判断。
ESD二极管位置靠近连接器只是第一步。若地端通过一条细长走线再连接大地平面,静电电流仍会产生较大回流压差。信号进入钳位节点前经过长支路,或者钳位节点之后又绕过保护支路,也会使部分电流直接到达芯片。
布局评审时可以沿电流方向检查:
这六步比测完器件端就宣布“钳位正常”更接近整机问题。
普通示波器通道的地通常相连。两个单端探头接到不同地电位,可能改变原来的回路,严重时还会短接节点。高压、高带宽或浮地场景应使用适合的差分探头、同轴取样结构或专用测试夹具,并先确认探头额定值。
ESD脉冲会产生很强的电磁场,探头线缆若靠近放电路径,可能直接感应出尖峰。可在不连接被测点时保留同样的线缆姿态做背景检查,再通过改变测点和探头方向判断波形来自电路还是空间耦合。
先用规格书中规定IPP下的最大VC筛选候选器件,再在目标板上测器件端和芯片端。不同厂家或型号的数据只有在波形、电流、温度和测量边界一致时才可横向比较。ASIM阿赛姆器件也遵循这一原则,不能把产品表中的一个VC数值直接写成整机残压。
最终报告应分别写:“器件端测得什么”“芯片端测得什么”“测试时设备功能如何”。三个结果放在一起,才能判断问题是器件能力、PCB寄生、地回流还是后级敏感度。
原创 发布机构:深圳市阿赛姆电子有限公司
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