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ESD管漏电流超标会直接加剧MOS管发热,而高分子ESD(IR
本文详解MOS管在ESD事件中的栅极击穿风险,提出TVS管+ESD管三级防护架构:TVS管泄放漏极功率、ESD管守护栅极、串联电阻补偿延时。
在高速电路中,ESD管通过超低结电容抑制信号畸变,MOS管利用栅极电阻公式优化驱动回路,结合缓冲电路与PCB协同设计,实现纳秒级响应、电源…
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