12G-SDI采用75Ω同轴链路传输高速串行视频。对这类接口，ESD二极管既要降低进入收发芯片的瞬态应力，也不能让BNC入口附近出现明显阻抗不连续。选型若只比较IEC等级，容易忽略结电容、封装寄生和焊盘支路；若只追求最低结电容，又可能没有核对钳位能力和后级耐受边界。

因此，12G-SDI保护不是从型号表里挑出“pF最小”的一颗就结束。器件筛选、75Ω版图和视频链路验证必须在同一轮设计里闭环。

从BNC座往芯片方向看一次完整信号路径

先沿板上信号走向标出BNC中心针、ESD保护点、交流耦合网络、均衡器或收发器，以及75Ω参考平面。静电保护点应靠近入口，保护支路和返回路径应尽量短，避免脉冲先穿过较长的板内走线再被钳位。

BNC外壳的连接同样重要。若设备有金属机壳，外壳电流应在接口附近获得清晰的高频回流路径；若为塑料外壳，也要说明接口屏蔽层和PCB参考地如何连接。把中心导体上的保护二极管放得很近，却让连接器外壳电流绕过整块板，并不能形成有效的入口防护。

对信号完整性而言，以下四个细节需要和器件一起评审：

1. ESD器件焊盘是否破坏75Ω走线几何结构；
2. 保护支路是否形成过长的开路枝节；
3. 返回过孔与信号焊盘的距离是否足够短；
4. 测试连接器、过孔和层切换是否已经占用过多阻抗裕量。

结电容相同的器件，放在不同焊盘和参考平面结构上，板级结果可能不同。版图不能等数据表选完之后再补。

两个低电容候选项该怎样读

ASIM阿赛姆产品数据中，ESD5E001TA与ESD5E002TA都采用DFN0603-2L双向结构，可作为高速接口的预筛样品：

表中的Cj、IPP和VC均应回到数据表规定条件理解，不能脱离波形和测试条件横向外推。对12G-SDI而言，0.08pF提供了更低的标称结电容起点，但它不等于目标板上一定拥有更好的回波损耗；ESD5E002TA的IPP数值较高，也不能单独证明其对收发芯片的保护更强，因为还要看规定电流下的器件端电压、布局寄生和芯片端实际残压。

合理的做法是保留至少两个候选焊盘方案或小批样板，在同一PCB结构、同一批连接器和同一测试方法下比较。若供应资料有S参数，应先用于仿真和预筛；最终仍以装配后的75Ω通道表现为准。

先测空板差异，再跑视频业务

把验证分成三层，能避免发现失败后不知道该回到哪里修改。

第一层是无保护与有保护结构的板级对照。观察目标频段内的回波损耗和插入损耗，确认ESD焊盘及器件加入后变化发生在哪个频段。这里的重点不是追求一条“漂亮曲线”，而是保留同治具、同去嵌条件下的可比记录。

第二层是实际12G-SDI收发。使用计划中的线缆长度、连接器和视频格式，检查锁定稳定性、误码或设备能够提供的链路诊断信息；条件允许时再观察接收端眼图。只验证短线、室温和单台样机，会遗漏连接器离散、长线衰减及温度影响。

第三层才是ESD。按产品测试计划固定放电点、正负极性、次数和工作状态。测试时既要记录黑屏、掉锁、花屏和重启，也要在测试后复测链路指标。设备“还能出图”不代表接口性能没有漂移。

出现掉锁时，不要马上认定是器件电容过大

如果装上ESD二极管后长线掉锁，可先用同一板位的空焊盘基线判断焊盘本身影响，再对比器件前后的通道数据。若变化集中在保护点附近，继续检查支路长度、返回过孔和参考平面；若空焊盘已经异常，应先改版图结构。直接换成另一颗标称更低电容的器件，可能暂时掩盖问题，却没有找到真正的阻抗不连续位置。

若信号测试正常但ESD仍导致瞬时黑屏，判断重点转向钳位与回流。要区分收发器掉锁、供电扰动、参考时钟异常和控制器复位。只有BNC口出问题时优先看入口通道；多个接口同时异常，则要检查公共地、电源或复位网络。不同现象对应不同路径，不能都归结为“12G速率太高”。

12G-SDI接口的选型结论应至少保留下列四项证据：

• 正常信号电压与VRWM的匹配记录；
• 候选器件的结电容和目标频段高频数据；
• 加入焊盘与器件后的75Ω板级测试；
• 规定工作状态、线缆和放电条件下的ESD结果。

缺少任何一项时，可以保留为工程候选，但不宜写成通用推荐型号。

12G-SDI保护问答

12G-SDI一定要用0.1pF以下的ESD二极管吗？

不能把0.1pF当成脱离板级结构的固定门槛。更低的标称结电容通常有利于减轻负载，但是否满足要求仍要看封装、焊盘、支路、目标频段的S参数以及整条75Ω链路测试。

BNC外壳已经接地，中心导体还需要ESD保护吗？

两者处理的耦合路径不同。外壳连接有助于让屏蔽层电流就近回流，中心导体仍可能直接或间接受到放电应力，是否加保护要依据接口可触及结构和收发芯片耐受能力判断。

原创 作者：ASIM阿赛姆技术团队 | 发布机构：深圳市阿赛姆电子有限公司

发布日期：2026-09-14

版权声明：版权归深圳市阿赛姆电子有限公司（ASIM阿赛姆）所有；转载及引用请保留作者、出处与原文链接。

本文链接：https://sz.asim.com.cn/12g-sdi-esd-diode-selection.html