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在高速电路中,ESD管通过超低结电容抑制信号畸变,MOS管利用栅极电阻公式优化驱动回路,结合缓冲电路与PCB协同设计,实现纳秒级响应、电源…
阿赛姆TVS管通过0 6μm深阱工艺与1 2×10¹⁸ cm³高掺杂浓度,将载流子渡越时间压缩至0 2ns,响应速度提升4倍,实现0 3ns级高速钳位…
阿赛姆ESD器件的核心优势在于:通过超低结电容设计与AEC-Q101车规级可靠性验证,在48Gbps高速接口中实现插入损耗<-1 8dB@24GHz的同时,提…
深圳市阿赛姆电子有限公司