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ESD保护器件频繁失效的三大核心原因:PCB布局缺陷、选型参数失配、生产工艺缺陷,结合智能门锁主板烧毁、充电桩接口测试失效、TWS耳机批量…
ESD管漏电流超标会直接加剧MOS管发热,而高分子ESD(IR
本文详解MOS管在ESD事件中的栅极击穿风险,提出TVS管+ESD管三级防护架构:TVS管泄放漏极功率、ESD管守护栅极、串联电阻补偿延时。
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